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小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途

  • 申请号:CN201110325875.5
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN103059815A
  • 公开(公开)日:2013.04.24
  • 法律状态:公开
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途
申请号 CN201110325875.5 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103059815A 公开(授权)日 2013.04.24
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 陈岭;胡凤霞;包立夫;王晶;孙继荣;沈保根
主分类号 C09K5/02(2006.01)I IPC主分类号 C09K5/02(2006.01)I;F25B21/00(2006.01)I
专利有效期 小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途 至小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途 法律状态 公开
说明书摘要 本发明提供了一种小滞后损耗的一级相变La(Fe,Si)13基磁热效应材料及其制备方法和用途,所述材料具有NaZn13型结构,化学通式为:La1-xRx(Fe1-p-qCopMnq)13-ySiyAα,所述磁热效应材料为粒径15~200μm的颗粒。其制备方法包括:通过熔炼、退火制备出La1-xRx(Fe1-p-qCopMnq)13-ySiyAα材料,之后制成粒径范围15~200μm的粉末。在组分不变的情况下在15~200μm范围内调节晶粒度可获得具有小的滞后损耗强磁热效应的La(Fe,Si)13基磁热效应材料,对于这类材料实际的磁制冷应用具有重要意义。

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