专利详情

专利名称	锗纳米管的制备方法
申请号	CN201310032667.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103056389A	公开（授权）日	2013.04.24
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	李祥东;孟国文
主分类号	B22F9/26(2006.01)I	IPC主分类号	B22F9/26(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	锗纳米管的制备方法至锗纳米管的制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	本发明公开了一种锗纳米管的制备方法。它先使用二次阳极氧化法得到通孔氧化铝模板，再将其置于硝酸镍水溶液中浸泡后，去除其表面的硝酸镍，得到孔中置有硝酸镍的通孔氧化铝模板；接着，先将孔中置有硝酸镍的通孔氧化铝模板置于氢氩混合气氛中，于300～380℃下还原反应10～30min，再将其置于锗烷氢氩混合气氛中，于300～380℃下气相沉积10～30min，得到孔中置有锗纳米管的氧化铝模板；之后，将孔中置有锗纳米管的氧化铝模板置于碱溶液中去除氧化铝模板，制得锗与镍之间的原子含量之比为95.05～99.95%:0.05～4.95%的非晶态锗中均匀地扩散有镍构成的锗纳米管。它为研究锗纳米管的光、电等特性及其应用提供了可能，并有望将其广泛地应用于微光、电子器件等领域。