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一种高强度可逆键合微流控芯片的制作方法

  • 申请号:CN201210556630.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN103058131A
  • 公开(公开)日:2013.04.24
  • 法律状态:公开
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种高强度可逆键合微流控芯片的制作方法
申请号 CN201210556630.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103058131A 公开(授权)日 2013.04.24
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 李刚;陈强;汤腾;赵建龙
主分类号 B81C3/00(2006.01)I IPC主分类号 B81C3/00(2006.01)I
专利有效期 一种高强度可逆键合微流控芯片的制作方法 至一种高强度可逆键合微流控芯片的制作方法 法律状态 公开
说明书摘要 本发明公开了一种高强度可逆键合微流控芯片的制作方法,所述方法首先利用牺牲层模具制作集成微管道结构的PDMS薄膜,并将PDMS薄膜结构面与一预先打孔的硬质基片对准贴合,然后将另一预先旋涂PDMS预聚体和固化剂混合液的硬质基片贴附于PDMS薄膜背面,并固化,制作完成完全无缝贴合的基片-PDMS-基片夹心式微流控芯片。最后,通过夹具从上下两面夹持夹心式微流控芯片的两片硬质基片,增强夹心式微流控芯片微管道结构耐受外加压强的能力。基于本发明制作的组合夹具的夹心式微流控芯片同时具备了可逆组装和抗高压的优势,大大地拓展了可逆键合微流控芯片的应用范围,降低了微流控芯片的应用成本。

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