专利详情

专利名称	利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备
申请号	CN201310013398.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103077995A	公开（授权）日	2013.05.01
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	顾溢;张永刚
主分类号	H01L31/101(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备至利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及其制备方法。在InkGa1-kAs吸收层中加入应变补偿超晶格电子阻挡层，利用超晶格导带势垒阻挡电子降低暗电流。其制备方法包括：先在衬底上生长高掺杂P型InkAl1-kAs缓冲层，所述缓冲层同时作为下接触层；生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长应变补偿超晶格电子阻挡插入层，掺杂情况与吸收层相同为低掺杂N型；继续生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长高掺杂N型InkAl1-kAs上接触层，完成此探测器结构材料的生长。本发明能够利用电子阻挡层降低探测器暗电流。