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一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法

  • 申请号:CN201110165391.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN102838350A
  • 公开(公开)日:2012.12.26
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法
申请号 CN201110165391.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN102838350A 公开(授权)日 2012.12.26
申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 张望重;梁瑞虹;董显林
主分类号 C04B35/491(2006.01)I IPC主分类号 C04B35/491(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期 一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法 至一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种低温烧结压电陶瓷材料及其制备方法。所述低温烧结压电陶瓷材料的组成为:Pb0.98La0.02(Zr0.53Ti0.47)O3+Xmol%LiBiO2+Ymol%BiFeO3,其中4≤X≤10,0.01≤Y≤1。其制备方法包括如下步骤:称取原料,湿法球磨使混合均匀,预合成,然后粉碎,过筛;加入Xmol%LiBiO2和Ymol%BiFeO3,细磨,烘干,加粘结剂造粒,成型,排塑;最后烧结,极化。本发明的压电陶瓷材料各项性能良好,且烧结温度≤950℃,能够满足制备多层片式结构压电陶瓷器件的要求。另外,本发明的制备方法具有操作简单,无需特殊设备和苛刻条件,易于规模化生产等优点。

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