专利详情

专利名称	分枝可控的二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法
申请号	CN200810195738.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101660189	公开（授权）日	2010.03.03
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	金震;费广涛;胡小晔;许少辉
主分类号	C25D11/26(2006.01)I	IPC主分类号	C25D11/26(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B30/02(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	分枝可控的二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法至分枝可控的二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种分枝可控的二氧化钛纳米管阵列薄膜及其制备方法。薄膜由主管和分枝管相串接的二氧化钛纳米管的阵列构成，其厚度为1～ 100μm、孔隙率为40～60％；方法为按照氟化铵、乙二醇和水的摩尔比为0.05～ 0.15∶17.7∶0.015～0.025的比例配制主管电解液，按照氢氟酸和乙二醇的摩尔比为0.15～0.25∶17.7的比例配制分枝管电解液，然后，先将钛片的一面置于主管电解液中作为阳极，于直流电压为55～65V、温度为0～35℃下阳极氧化0.5～6h，再用乙二醇对其进行清洗，接着，将其已被阳极氧化过的一面置于分枝管电解液中作为阳极，于直流电压为30～120V、温度为0～35℃ 下阳极氧化30min以上，制得薄膜。它可广泛用于染料敏化太阳能电池、气体传感器、光解水制氢以及光子晶体领域。