专利详情

专利名称	一种多孔氧化钨薄膜的制备方法
申请号	CN200910192095.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101660124	公开（授权）日	2010.03.03
申请（专利权）人	中国科学院广州能源研究所	发明（设计）人	徐刚;黄志峰;黄春明;徐雪青;苗蕾
主分类号	C23C14/14(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/36(2006.01)I
专利有效期	一种多孔氧化钨薄膜的制备方法至一种多孔氧化钨薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种多孔氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：采用钨靶、铝靶双靶磁控共溅射的工艺把钨、铝沉积在基片上，形成钨-铝合金薄膜；把所得到的钨-铝合金薄膜浸入碱性溶液中进行选择性腐蚀氧化，最后在基片上得到了多孔氧化钨薄膜。该方法制得的多孔氧化钨薄膜孔径分布均匀，孔径平均大小为100nm左右。本发明具有下列明显先进性和独创性：制备简单，工艺参数容易控制，孔隙度及孔径大小可控，孔径分布均匀。其产品结构和性质非常适用于制作电致变色器件和气敏器件。