专利详情

专利名称	二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法
申请号	CN200810118107.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101649483	公开（授权）日	2010.02.17
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	刘春艳;张森;刘云
主分类号	C30B7/14(2006.01)I	IPC主分类号	C30B7/14(2006.01)I;C30B29/16(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C01G23/053(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I
专利有效期	二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法至二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法，特别涉及一种利用液相化学沉积(LPD)过程可在多种基底表面构建二氧化钛纳米棒阵列薄膜的方法。将涂有晶种的基底浸没于含有无机盐的钛盐水溶液中，于30～100℃下恒温，在基底表面生长出二氧化钛纳米棒阵列，将基底取出，清洗、干燥后，即可得到与基底结合牢固的二氧化钛纳米棒阵列薄膜。本发明得到的纳米棒阵列薄膜与基底结合牢固；纳米棒有序排列于基底表面；纳米棒的形貌和尺寸较为均一；纳米棒的生长方向基本垂直于基底。本发明制备方法简单，制备过程中不需要添加任何表面活性剂，也不需要任何模板辅助，后处理过程简单易行。