专利详情

专利名称	一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法
申请号	CN200910306635.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101645471	公开（授权）日	2010.02.10
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	白云;刘键;麻芃;朱杰;饶志鹏;刘新宇;郭丽伟
主分类号	H01L31/101(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法至一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、 Al_0.65Ga_0.35N层、两个Al_0.45Ga_0.55N层、两个Al_0.2Ga_0.8N层和两个GaN层，其中，Al_0.45Ga_0.55N层和其相邻的一个层之间形成一个pn结，Al_0.2Ga_0.8N层和其相邻的一个层之间形成一个pn结， GaN层和其相邻的一个层之间形成一个pn结。本发明的全波段紫外探测器可以实现在一套系统内根据要求进行不同波段之间的转换探测，减少了使用成本，便于在实际工作中进行操作。