掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法
- 申请号：CN200910151679.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN101643934
- 公开(公开)日：2010.02.10
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN200910151679.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN101643934 | 公开（授权）日 | 2010.02.10 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 徐军;苏良碧;李红军;周朋;喻军 |
| 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I |
| 专利有效期 | 掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法 至掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种掺Bi卤化物激光晶体及其制备方法，属于激光晶体领域。本发明的掺 Bi卤化物激光晶体为碱金属或碱土金属卤化物晶体，Bi离子掺杂浓度Bi％的取值范围为： 0.01at％≤Bi％≤5.0at％。本发明的晶体采用熔体法生长，生长气氛采用惰性或弱还原性气体， 可以是氮气、氩气、或者是它们按一定比例与H2混合形成的混合气体。本发明的掺Bi卤 化物激光晶体可应用于波长可调谐或超短脉冲激光器。 | ||
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