一种有机薄膜晶体管及其制备方法
- 申请号：CN201210030512.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102544368A
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201210030512.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102544368A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;陆丛研;姬濯宇;商立伟;王宏;刘欣;韩买兴;陈映平 |
| 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 至一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括：在硅片上氧化制备二氧化硅绝缘层；对二氧化硅绝缘层进行OTS修饰；在修饰后的二氧化硅绝缘层表面上沉积生长有机半导体层；在有机半导体层表面上沉积生长一层金属氧化物半导体层；以及在金属氧化物半导体层表面上沉积生长一层金属电极。本发明的有机薄膜晶体管，具有性能高、工艺简单、重复性好，并且相对传统工艺制备的有机薄膜晶体管成本又明显降低。 | ||
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