专利详情

专利名称	利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法
申请号	CN201210014615.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102544040A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	叶交托;罗乐;徐高卫;王双福
主分类号	H01L27/146(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/146(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法至利用TSV技术实现GaAs图像传感器的圆片级封装方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种利用硅通孔(TSV)技术实现砷化镓(GaAs)图像传感器圆片级封装的方法。其特征在于其步骤包括：机械加工与湿法腐蚀配合使用加工出凹槽；在凹槽中制作一树脂绝缘层；然后用激光方法在树脂上制作通孔；槽内和通孔内电镀，实现晶片正面电极的背部引出；做钝化层和焊料凸点。整个工艺过程在圆片级完成，在降低封装成本的基础上具有较高的互连密度。同时，制作的互连结构具有较高的可靠性。