一种碳化硅晶体退火工艺
- 申请号：CN201010588052.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号：CN102534805A
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：授权
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 一种碳化硅晶体退火工艺 | ||
| 申请号 | CN201010588052.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102534805A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王波;陈小龙;李龙远;刘春俊;彭同华;王刚 |
| 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种碳化硅晶体退火工艺 至一种碳化硅晶体退火工艺 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明主要应用于碳化硅晶体生长结束后处理领域，具体来说是通过减小温度梯度(晶体温度梯度1-10℃/cm)，在压力1-8万帕以上的惰性气体下用1-5小时升到退火温度，退火温度在2300-2500℃，恒温10-40小时后再用10-50小时降温。通过这种退火工艺降低晶体与坩埚盖之间以及碳化硅晶体内部应力，从而降低后续加工过程中碳化硅晶体破损率，提高碳化硅晶体产率。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言