专利详情

专利名称	AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法
申请号	CN201010589028.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102542077A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘新宇;蒲颜;庞磊;袁婷婷;罗卫军;陈晓娟
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法至AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种AlGaN/GaN?HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。