专利详情

专利名称	一种微晶Si-Sb_xTe_1-x复合相变材料及制备方法
申请号	CN201010591390.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102534479A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋志棠;夏梦姣;饶峰;刘波;封松林
主分类号	C23C14/06(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种微晶Si-Sb_xTe_1-x复合相变材料及制备方法至一种微晶Si-Sb_xTe_1-x复合相变材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1 x 0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。

交易流程

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4、专员跟进，交易保障

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