专利详情

专利名称	相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法
申请号	CN200810200709.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101640251	公开（授权）日	2010.02.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	刘燕;宋志棠;凌云;龚岳峰;封松林
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法至相变存储器存储单元底电极结构的改进及制作实施方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储器存储单元底电极结构的改进以及制作实施方法，所述的相变存储器存储单元包括顶电极1、顶电极的过渡层2，以及与顶电极的过渡层2和底电极6接触的相变材料层，其特征在于底电极上端呈探针式电极结构，探针式电极的针尖7深入相变材料层的内部。探针式电极的针尖呈等腰三角形。其制作实施方法为采用标准CMOS工艺制备绝缘介质中的钨底电极，然后采用湿法腐蚀绝缘介质层使钨底电极暴露，再用电化学腐蚀钨底电极使其形貌为探针状，得到探针式电极和等腰三角形针尖，使W电极的热量损失降低至19％。