专利详情

专利名称	具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法
申请号	CN200910306624.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101640227	公开（授权）日	2010.02.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	白云;麻芃;刘键;朱杰;饶志鹏;刘新宇
主分类号	H01L31/11(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/11(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法至具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述探测器包括蓝宝石衬底，以及在所述蓝宝石衬底上依次排列生长的AlN缓冲层、n型Al_0.65Ga_0.35N层、i型Al_0.45Ga_0.55N层、p型Al_0.45Ga_0.55N层和n型Al_0.45Ga_0.55N层，在所述 n型Al_0.45Ga_0.55N层上设置有第一上电极，在所述n型Al_0.65Ga_0.35N层上设置有第二上电极。本发明具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器能够对微弱的光电流信号进行放大，从而实现信号增益，提高器件的响应率。