一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法
- 申请号:CN201210019354.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
- 公开(公开)号:CN102530843A
- 公开(公开)日:2012.07.04
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法 | ||
申请号 | CN201210019354.1 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN102530843A | 公开(授权)日 | 2012.07.04 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明(设计)人 | 翟厚明;马斌;程正喜;张学敏 |
主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
专利有效期 | 一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法 至一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种疏松化聚酰亚胺红外吸收薄膜的制备方法。聚酰亚胺薄膜由光敏型聚酰亚胺树脂旋涂在基底表面,经亚胺化后获得;亚胺化使聚酰亚胺薄膜与基底形成良好粘附;采用光刻、显影工艺使聚酰亚胺在像元表面成型;疏松化通过腐蚀并去除混合在聚酰亚胺树脂中的铝粉末颗粒实现;采用氧等离子体刻蚀方法可控制聚酰亚胺的厚度,减轻热质量,同时保证铝粉末颗粒表面部分或完全露出,使铝粉末颗粒能完全去除。采用该方法制备的疏松化聚酰亚胺薄膜克服了黑金吸收薄膜机械强度差、不易图形化,热质量较高的缺点,相对于薄金属吸收薄膜也提高了红外吸收率,对非制冷探测器性能提高具有实际应用价值。 |
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