专利详情

专利名称	一种新型正电子湮没寿命谱仪
申请号	CN201110433507.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102539451A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院高能物理研究所	发明（设计）人	秦秀波;赵博震;丁天遥;唐浩辉;于润升;王宝义;魏龙
主分类号	G01N23/00(2006.01)I	IPC主分类号	G01N23/00(2006.01)I
专利有效期	一种新型正电子湮没寿命谱仪至一种新型正电子湮没寿命谱仪	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种新型正电子湮没寿命谱仪。所述正电子湮没寿命谱仪包括：闪烁探测器单元接收放射源衰变和正电子湮没所产生的γ射线，并产生闪烁光；所述闪烁光在传输和调制后通过所述狭缝入射到所述光阴极上产生光电子，该光电子经所述栅极网加速后进入所述偏转板，并在脉冲信号源产生的高频高压电场作用下偏转，该偏转后的光电子经所述微通道板倍增放大后在所述荧光屏上成像；所述图像获取和数据分析单元读取所述荧光屏上的图像，并根据位置信息对单个脉冲信号进行在线拟合精确得到所述γ射线的能量和产生的时刻。该正电子湮没寿命谱仪能够有效提高正电子湮没寿命谱仪的时间分辨率，并降低系统信号处理需求，提高了正电子湮没寿命谱仪的性能。