专利详情

专利名称	带有存储功能的MOS器件及其形成方法
申请号	CN201010579748.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102543734A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵超;王文武
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	带有存储功能的MOS器件及其形成方法至带有存储功能的MOS器件及其形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种带有存储功能的MOS器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面上覆盖有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属互连结构；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和金属互连结构的表面；在所述第二介质层中形成开口，所述开口的底部暴露出所述金属互连结构；在所述开口的底部形成合金层，所述合金层的材料为铜和其他金属的合金；对所述合金层和金属互连结构进行热处理，在所述金属互连结构的表面形成含金属的氧化物层。所述含氧的化合物层与形成于所述半导体衬底中的MOS器件共同构成带有存储功能的MOS器件。本发明的工艺可控性较高，有利于改善器件性能。