隧穿场效应晶体管及其制造方法
- 申请号：CN201010620557.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102544099A
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 隧穿场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201010620557.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102544099A | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;王鹤飞 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 隧穿场效应晶体管及其制造方法 至隧穿场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种隧穿场效应晶体管，栅堆叠和衬底之间具有交界线，其源区的侧壁经阻挡层接于衬底，且至少靠近栅堆叠的部分所述阻挡层与所述交界线之间的夹角小于90°。还提供了一种隧穿场效应晶体管的制造方法。均利于增加导通电流。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言