专利详情

专利名称	一种耿氏二极管及其制备方法
申请号	CN201010580735.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102544113A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	黄杰;杨浩;张海英;田超;董军荣
主分类号	H01L29/861(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I
专利有效期	一种耿氏二极管及其制备方法至一种耿氏二极管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及微波器件中二极管技术领域，具体涉及一种耿氏二极管及其制备方法。一种耿氏二极管的外延片从下至上依次包括半导体绝缘GaAs衬底，高掺杂下底面n+GaAs层，有源区n-GaAs层，nsGaAs层，GaAs本征下隔离层，AlxGa1-xAs本征势垒层，GaAs本征上隔离层，高掺杂上表面n+GaAs层。本发明提供的耿氏二极管能够有效减小有源区n-GaAs层中的死区，增加直流到射频信号转换效率和提高热稳定性，且可以利用直流电压直接对输出振荡频率和功率调谐；本发明提供的耿氏二极管的制备方法简便，易于实现单片集成。