专利详情

专利名称	半导体结构及其制造方法
申请号	CN201010617456.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102544097A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;尹海洲;骆志炯;梁擎擎
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I
专利有效期	半导体结构及其制造方法至半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构在SOI衬底上形成，所述SOI衬底自上而下依次包括SOI层、氧化物埋层、半导体埋层和半导体衬底，所述半导体结构包括：源/漏区，形成于所述SOI层中；栅极，形成于所述SOI层上，并且所述源/漏区位于栅极的两侧；背栅区，由所述半导体埋层的低电阻化的区域形成；第一隔离结构和第二隔离结构，位于所述源/漏区的两侧且延伸进入所述SOI衬底中；其中：所述第一隔离结构和第二隔离结构，分别与所述SOI层侧接于第一侧面和第二侧面，所述第一隔离结构与所述半导体埋层侧接于第三侧面，所述第三侧面位于所述第一侧面和第二侧面之间。本发明的实施例有助于避免源漏区与背栅区之间的短路。