专利详情

专利名称	半导体器件的形成方法
申请号	CN201010617419.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102543745A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;李春荣;罗军
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	半导体器件的形成方法至半导体器件的形成方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体器件的形成方法，包括：在第一绝缘层上顺序形成半导体基体、栅堆叠层及第二保护层；在确定栅极区域并去除栅极区域以外的第二保护层及栅堆叠层后，对半导体层执行离子注入操作以形成源漏区，并在栅极区域以外保留停止层、半导体层和覆盖半导体层的侧壁的第二绝缘层及暴露牺牲层；在形成第二侧墙以至少覆盖暴露的部分牺牲层后，去除第一保护层和第二保护层以暴露半导体层和栅堆叠层；并在暴露的半导体层和栅堆叠层上形成接触层；执行平坦化操作以暴露第一保护层，再以第一侧墙和第二侧墙为掩膜，去除第一保护层、牺牲层、停止层和半导体层以形成空腔，空腔暴露第一绝缘层。利于减小短沟道效应、源漏区电阻及寄生电容。