专利详情

专利名称	基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法
申请号	CN201210026665.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102540284A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	岳衢;李国俊;潘丽;邱传凯;周崇喜;李飞
主分类号	G02B3/00(2006.01)I	IPC主分类号	G02B3/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I
专利有效期	基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法至基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法，其主要工艺流程包括：选取基片，涂覆负性光刻胶，对基片先进行无掩膜曝光，再进行掩膜移动曝光、后烘和显影工艺获得微透镜阵列的光刻胶图形，最后采用干法刻蚀将光刻胶图形转移到基片上，即可获得微透镜阵列结构。本发明优点是利用负性光刻胶实现连续面形的微透镜阵列加工。由于负性光刻胶具有较好的抗刻蚀特性，并且在温度较高时光刻胶图形不易变形，使得这种微透镜阵列加工方法不仅可用于普通微透镜阵列的制备，也可用于需要深刻蚀或制备于厚基片上的微透镜阵列加工。