专利详情

专利名称	自对准式二次成像方法
申请号	CN201010611749.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102540701A	公开（授权）日	2012.07.04
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	贺晓彬;杨涛
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/09(2006.01)I
专利有效期	自对准式二次成像方法至自对准式二次成像方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种改进自对准式二次成像技术的方法，包括：在衬底上的图像转移层上形成第一光刻胶；进行第一曝光工艺，用以在第一光刻胶上形成第一图形；经过刻蚀把形成的第一图形转移到图像转移层上，并除去表面的第一光刻胶；在图像转移层的第一图形两侧形成侧墙；去除图形转移层，在衬底表面留下侧墙构成的第二图形；在第二图形上再形成另一光刻胶，进行另一曝光工艺，露出不需要的侧墙部分；刻蚀去掉不需要的侧墙部分并除去所述另一光刻胶。由此，改进了自对准式二次成像技术形成的侧墙必须是对称的这一缺点，得到想要的任意条数线条，从而减少在版图设计上的困难。