专利详情

专利名称	可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法
申请号	CN200810116990.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101633628	公开（授权）日	2010.01.27
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	王春儒;田飞
主分类号	C07C255/09(2006.01)I	IPC主分类号	C07C255/09(2006.01)I;C07C253/32(2006.01)I;C30B29/54(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I
专利有效期	可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法至可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及控制温度变化速率在真空中可控制备多形貌铜-四氰基对苯醌二甲烷(Cu-TCNQ)纳米结构的方法。本发明在真空条件下利用有机气固相反应，利用不同的升温速率在真空条件下合成了多形貌的铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构阵列材料，实现了纳米结构材料的可控生长，能调节纳米结构材料的直径，可以获得纳米棒、纳米线，并且可以控制纳米结构材料顶端的形貌。本发明的方法操作简单、安全、成本低、反应时间短，适于大规模生产多形貌的铜-四氰基对苯醌二甲烷纳米结构阵列材料。得到的纳米材料可广泛用于场发射平面显示、光电开关、传感器等方面。