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一种用于半导体材料磁输运测试的样品杆

  • 申请号:CN201120318440.3
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
  • 公开(公开)号:CN202305778U
  • 公开(公开)日:2012.07.04
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种用于半导体材料磁输运测试的样品杆
申请号 CN201120318440.3 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN202305778U 公开(授权)日 2012.07.04
申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 俞国林;刘新智;敬承斌;孙雷;褚君浩;魏来明;周远明;高矿红;林铁
主分类号 G01R33/12(2006.01)I IPC主分类号 G01R33/12(2006.01)I
专利有效期 一种用于半导体材料磁输运测试的样品杆 至一种用于半导体材料磁输运测试的样品杆 法律状态 授权
说明书摘要 本实用新型公开了一种用于半导体材料磁输运测试的样品杆,它用于研究极低温下微波辐照对材料电学特性和自旋特性的影响。样品杆由不锈钢管、波导管及转接口、同轴电缆及转接口、测试引线及插座,样品架、密封套和抽气口等组成。系统的主要特征在于将波导管和同轴电缆引入样品杆内,波导管和同轴电缆分别将高频和低频微波导入到样品处;波导管选用高强度、低热导率的碳纤维复合材料管,实现了样品温度在极低温下的稳定。该系统为极低温、强磁场中微波辐照下磁输运测试和自旋共振研究提供了有力的研究工具。

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