基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器
- 申请号：CN201120307596.1
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所
- 公开(公开)号：CN202308774U
- 公开(公开)日：2012.07.04
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | 基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 | ||
| 申请号 | CN201120307596.1 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN202308774U | 公开（授权）日 | 2012.07.04 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 苏辉 |
| 主分类号 | H01S5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/20(2006.01)I |
| 专利有效期 | 基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 至基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本申请涉及一种基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器；其波导层包括单模和多模波导层。多模波导层中含有有源多模干涉区域（AMMI），即多模有源层。并在输出激光的单模波导层中制备有光栅，可以防止在AMMI发生跳模现象以及线宽因子的增加，因此可以实现单纵横模的稳定输出。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
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过户资料
平台保障
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