专利详情

专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN201010589244.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569076A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王文武;赵超;韩锴;陈大鹏
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I
专利有效期	一种半导体器件及其制造方法至一种半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成伪栅极区、在所述栅极区的侧壁上形成侧墙以及在伪栅极区两侧的半导体衬底内形成源漏区，所述伪栅极区包括界面层和伪栅电极；在所述伪栅极区以及源漏区上形成介质帽层；对所述器件进行平坦化并以源漏区上的介质帽层为停止层；进一步去除所述伪栅电极以暴露所述界面层；在所述界面层上形成替代栅极区。以介质帽层的厚度控制栅槽的厚度，并进一步根据需要形成所需厚度和宽度的替代栅极，这样既降低栅槽的高宽比，又能保证足够低的栅电阻。