专利详情

专利名称	SiGe-HBT晶体管及其制备方法
申请号	CN201210062609.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569069A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈静;余涛;罗杰馨;伍青青;柴展
主分类号	H01L21/331(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/331(2006.01)I;H01L29/737(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	SiGe-HBT晶体管及其制备方法至SiGe-HBT晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种SiGe-HBT晶体管及其制备方法，属于微电子与固体电子领域。该SiGe异质结双晶体管的制备方法通过采用离子注入技术，在集电区与空间电荷区重叠区域中形成掺杂浓度相等的P+层与N+层组成的叠层，所述P+层或N+层的掺杂浓度值呈高斯分布，且其浓度值小于基区的掺杂浓度值，大于集电区的掺杂浓度值。本发明的方案不仅可以改变局部势垒区电场值大小，还可以改变势垒区电场的分布情况，在保证不牺牲渡越时间、截止频率以及最大振荡频率的情况下，提高基极-集电极击穿电压，或者在保证击穿电压不恶化的情况下，增加集电区掺杂浓度，提高空间电荷区渡越时间和截止频率。