高透明和高电光特性掺杂PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法
- 申请号:CN200910056300.0
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN101628810
- 公开(公开)日:2010.01.20
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 高透明和高电光特性掺杂PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法 | ||
申请号 | CN200910056300.0 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN101628810 | 公开(授权)日 | 2010.01.20 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 李国荣;阮伟;曾江涛;郑嘹赢;丁爱丽;殷庆瑞 |
主分类号 | C04B35/472(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/472(2006.01)I;C04B35/499(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
专利有效期 | 高透明和高电光特性掺杂PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法 至高透明和高电光特性掺杂PMN-PT电光陶瓷材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一类高透明度和高电光特性的掺杂的PMN-PT电光陶瓷材料 及制备方法,其特征在于所述的电光陶瓷材料的组成通式为:(1-x)Pb (MgyNbz)O3-xPbTi(5-3y)/4O3+(3y-1)A。其中(3y-1)A表示1mol PMN-PT中 掺杂(3y-1)mol的A,0<x≤0.55;0.334<y≤0.5;y+z=1;A为Y、Bi、La中的一 种、二种或三种。本发明提供的透明电光陶瓷系列,随x、y、z的变化,透 过率变动于60%-66%之间(不考虑表面反射光损失时透过率高达90%-95%), 二次电光系数R高达20-60x10-16m2/V2。因此,所提供的掺杂的Pb(Mg1/3Nb2 /3)O3-PbTiO3是一类有应用价值的透明电光陶瓷。 |
交易流程
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