专利详情

专利名称	三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用
申请号	CN201110453408.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102557114A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	张龙;柳洋;董红星
主分类号	C01G15/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01G15/00(2006.01)I;G01N27/04(2006.01)I
专利有效期	三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用至三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种三维空心多级结构氧化铟基气敏材料的制备方法及其应用，该材料采用铟盐、去离子水，丙三醇为溶剂，乙二胺为铟离子配体，十六烷基三甲基溴化铵作表面活性剂，通过水热合成方法制备而成，具有氧化铟纳米片自组装三维花状空心多级结构，直径为0.5～3μm。该制备方法工艺简单，成本低，对环境友好，适用于大规模生产。用本发明方法制备材料制备气敏传感器的实验表明，对丙酮、甲苯呈现出非常高的灵敏度，其最低检测限可以达到ppb级，而且器件具有非常短的响应时间和恢复时间，稳定性高，选择性好，可应用于丙酮、甲苯的气敏传感器。