专利详情

专利名称	一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法
申请号	CN201210026732.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102556950A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院光电技术研究所	发明（设计）人	邱传凯;胡承刚;岳衢;张铁军;李国俊;罗先刚;潘丽;李飞
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I;H01Q15/00(2006.01)I
专利有效期	一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法至一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于三层结构的可调谐人工电磁材料及其制作方法，该人工电磁材料是由金属-掺杂介质-金属三层结构组成的微纳米图形结构，可用于红外、太赫兹波段。其制作方法包括：选择绝缘硅，利用沉积、粘结、干法刻蚀、湿法腐蚀、再沉积的技术，在基片上获得金属-掺杂介质-金属的三层结构；在三层结构之上进行光刻，获得光刻胶图形；利用离子束刻蚀将光刻胶图形转移到金属膜层上，即可获得基于金属-掺杂介质-金属三层结构的人工电磁材料。本发明的制作方法避免了常规方法如溅射、离子注入、键合等方法制备掺杂硅带来的掺杂难、掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点，工艺简单，易于控制，是人工电磁材料的一种高效可靠的制作方法。