专利详情

专利名称	在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法
申请号	CN200810116381.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101625522	公开（授权）日	2010.01.13
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	赵珉;朱效立;陈宝钦;刘明
主分类号	G03F7/00(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I;G03F7/38(2006.01)I
专利有效期	在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法至在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及纳米加工技术领域，公开了一种在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ上制作密集图形的方法，包括：A.对衬底进行表面清洁及热处理；B.在衬底上涂敷负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ厚胶层；C.对涂敷了HSQ厚胶层的衬底进行前烘；D.对HSQ厚胶层进行密集图形的电子束直写曝光；E.显影的准备工作及实施显影；F.定影及干燥；G. 进行后续的图形转移工艺。利用本发明，抑制了背散射效应对低灵敏度负性抗电子束蚀剂层上制作密集图形时尤为严重的邻近效应的影响，并且避免由于抗蚀剂层应力、缺陷，以及显影气泡等因素造成的光刻图形漂移或倒塌的现象，使得利用负性高分辨率电子束抗蚀剂HSQ制作密集图形的厚胶工艺实用化。