半导体结构及其制造方法
- 申请号：CN201110008002.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN102593172A
- 公开(公开)日：2012.07.18
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201110008002.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102593172A | 公开（授权）日 | 2012.07.18 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;吴彬能;肖卫平;吴昊;梁擎擎 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：栅叠层，所述栅叠层形成于半导体衬底上；超陡后退岛，所述超陡后退岛嵌于所述半导体衬底中且与所述栅叠层自对准；补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述超陡后退岛中，所述补偿注入区的掺杂类型与所述超陡后退岛的掺杂类型相反。利于减少发生短沟道效应的可能性。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
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成功 - 06 支付尾款
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平台保障
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