专利详情

专利名称	一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法
申请号	CN201210075810.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102593006A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	金智;陈娇;麻芃;王显泰;潘洪亮;郭建楠;彭松昂
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法至一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种减小金属与碳基材料的接触电阻的方法，该方法是在碳基材料的表面形成一掩膜金属层，然后在该掩膜金属层上光刻定义源漏区图形，腐蚀该源漏区图形处的掩膜金属层，并经金属蒸发以及剥离来制备源漏电极，最后去除沟道区上的掩膜金属层。本发明采用金属掩膜，实现光刻胶与碳基材料的隔离，最大程度的减小残余光刻胶对碳基材料与金属接触的影响，从而有效的增加了碳基FET器件的开态电流，提高了器件的跨导和截止频率。