专利详情

专利名称	一种高k介质薄膜的制备方法
申请号	CN201210075127.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102592974A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;曹铎;贾婷婷;王中健;徐大伟;夏超;宋朝瑞;俞跃辉
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I
专利有效期	一种高k介质薄膜的制备方法至一种高k介质薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种高k介质薄膜的制备方法，在标准的RCA清洗法之前加入H2SO4、H2O2的清洗步骤，可以去除样品表面有机物，提高衬底表面的纯净度。在RCA清洗法之后再次用HF去除表面氧化层，可以有效地降低薄膜界面层厚度。利用等离子体原子层沉积方法，采用原位O2，NH3等离子体处理Si表面的技术，在高K介质薄膜与Si之间生长一层很薄的氮氧化合物钝化层，该钝化层可以抑制界面层的生长。接着使用等离子体生长方式生长高K介质薄膜，并原位对所述高K介质薄膜进行氧等离子体后处理，减少薄膜中的氧空位。本方法有利于减小界面缓冲层的厚度和界面粗糙度、抑制了衬底和薄膜之间的元素扩散、有利于减小等效栅氧厚度。