专利详情

专利名称	一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器
申请号	CN201110304812.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102593141A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	韩秀峰;于国强;陈怡然
主分类号	H01L27/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/24(2006.01)I;G11C11/4096(2006.01)I
专利有效期	一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器至一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种新型电场调制型存储单元的阵列和随机存储器，所述存储器包括新型电场调制型存储单元的阵列和相应的读写电路。所述存储单元的阵列中的存储单元可以采用导电层、功能层和底层的结构；也可以采用导电层、绝缘层、缓冲层、功能层和底层的结构。这两种结构均具有2条数据读取线和2条数据写入线。所述新型电场调制型存储单元的阵列中的存储单元也可以采用和晶体管结合的结构，利用晶体管对存储单元进行选择。本发明的随机存储器，包括基本行解码器、灵敏放大器和列解码器、寄存器、控制电路、读写驱动、寄存器和输入、输入端口等。本发明提出的随机存储器是一种全新的存储器。其具有结构简单、器件使用寿命长以及功耗低的优点。