专利详情

专利名称	一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构
申请号	CN201110007880.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102593170A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘梦新;毕津顺;刘刚;罗家俊;韩郑生
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构至一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构，属于半导体器件领域。所述射频LDMOS晶体管结构包括背栅金属层、底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、正栅氧化层、正栅多晶硅层，侧墙区、源区、漏区、P阱区、N阱区、N漂移区、硅化物层、隔离氧化物区、部分隔离氧化物区和体接触区。本发明将LDMOS晶体管制作于SOI衬底之上，利用部分隔离氧化物区在硅化过程中掩蔽漂移区上的硅化物，并可形成类RESURF结构，可显著提高LDMOS击穿电压，降低器件关断时的漏电及开启时的导通电阻；同时利用部分隔离氧化物区和与N阱区同型的重掺杂区域形成低势垒体接触区，可提高体引出效率，并且不受器件宽长比限制。