专利详情

专利名称	向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件
申请号	CN201110007408.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102593001A	公开（授权）日	2012.07.18
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	殷华湘;徐秋霞;陈大鹏
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I
专利有效期	向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件至向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及向MOS器件的沟道中引入应力的方法及使用该方法制作的器件。所述方法包括提供半导体衬底；在半导体衬底上形成沟道；在沟道上形成第一栅介电层；在所述第一栅介电层上形成多晶硅栅极层；在所述多晶硅栅极层中掺杂或注入第一元素；去除部分第一栅介电层和多晶硅栅极层从而形成第一栅极结构；在沟道中形成源漏极延伸区；在第一栅极结构两侧形成侧墙；在沟道中形成源漏极；以及进行退火，使得掺杂或注入有第一元素的多晶硅在高温结晶过程中发生晶格变化，从而在所述多晶硅栅极层中产生第一应力，并将第一应力透过栅介质层引入到沟道。本方法具有较强的工艺灵活性，较简单的工艺复杂度，并且没有附加的工艺成本。