专利详情

专利名称	掺杂BKT-BT系无铅PTCR陶瓷材料及制备方法
申请号	CN200910055936.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101624284	公开（授权）日	2010.01.13
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李国荣;郑嘹赢;冷森林;王天宝;曾江涛;殷庆瑞
主分类号	C04B35/462(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;G01K7/16(2006.01)I
专利有效期	掺杂BKT-BT系无铅PTCR陶瓷材料及制备方法至掺杂BKT-BT系无铅PTCR陶瓷材料及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一类掺杂的BKT-BT系无铅正温度系数电阻陶瓷材料及制备方法，材料的组成通式为：(Bi_0.5K_0.5)_x1(Ba_1-x1-x2A_X2)Ti_1-yM_yO₃+Zmol％D，其中 0＜x₁≤0.7；0＜x₂≤0.6％； 0＜y＜0.2％； 0≤Z＜1；A为Ce、Y、La和Bi中的一种或多种；M为Nb、Sb、Ta和Mo中的一种或多种；D为MnO₂、TiO₂、 SiO₂和B₂O₃中的一种或多种。本发明的无铅PTCR陶瓷材料系列，随x₁、 x₂、y和Z的变化，其T_C，α，ρ_RT，电阻突跳(R_max/R_min)分别在140-250℃， 10-45％/℃，20-60Ω·Cm，以及10²-10⁵之间变动。