专利详情

专利名称	一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法
申请号	CN201210002889.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569639A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	李润伟;左正笏;尚杰;詹清峰;陈斌
主分类号	H01L41/22(2006.01)I	IPC主分类号	H01L41/22(2006.01)I;H01L41/053(2006.01)I
专利有效期	一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法至一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种自支撑压电/铁电薄膜的制备方法，该方法首先采用现有技术制备保留阻挡层的阳极氧化铝薄膜；然后，在所述的阳极氧化铝薄膜的阻挡层表面沉积底电极，接着在所述的底电极表面依次沉积压电/铁电薄膜与顶电极；最后，用碱溶液腐蚀保留阻挡层的阳极氧化铝薄膜，使阻挡层和阳极氧化铝薄膜溶解在碱溶液中，得到自支撑压电/铁电薄膜。本发明的制备方法克服了衬底对薄膜存在束缚作用而导致的转化效率低、不易集成的问题，得到的自支撑压电/铁电薄膜具有平整度高、转换效率高的优点，是一种成本低廉、简单易行的制备方法，具有良好的应用前景。