专利详情

专利名称	基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法
申请号	CN201210011500.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102565024A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	温晓镭;王沛;张斗国;鲁拥华;明海
主分类号	G01N21/65(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/65(2006.01)I
专利有效期	基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法至基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公布了一种基于表面等离子体激元局域场耦合效应的表面增强拉曼散射基底及其制备方法，涉及分子探测与识别技术和金属微纳结构制备方法，该类表面增强拉曼散射基底由具有纳米级间隙的金属微纳结构组成，在间隙内存在表面等离子体激元局域场耦合效应；具体形式包括：Ag纳米颗粒与Ag膜耦合体系、Ag纳米颗粒与Ag纳米小孔阵列耦合体系、Ag纳米球帽与Ag纳米小孔耦合体系；制备方法包括湿化学法和真空热蒸镀法。本发明该类表面增强拉曼散射基底的制备方法安全简便，不需要复杂的设备，成本低，结构稳定可控，重复率高，同时能提供高增强因子。