专利详情

专利名称	电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元
申请号	CN200910056301.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101621115	公开（授权）日	2010.01.06
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	李效民;曹逊;高相东;张亦文;刘新军
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I
专利有效期	电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元至电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM存储单元	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种电脉冲诱发电阻转变特性的二元氧化物RRAM的存储单元，在衬底上依次形成底电极层、阻变氧化物层和顶电极层，其特征在于在阻变氧化物层和顶电极层在界面处形成一储氧层，提供氧离子存储和释放，所构成的存储单元为多层膜结构。在所述的存储单元中储氧层为TiO_x、Cu_xO、 WO_x、AlO_x、TiON或AZO。在施加脉冲电场条件下，利用储氧层实现脉冲触发条件下的电阻转变特性，从而实现实际应用中高速存储的目的。本发明的存储单元结构的最大优点是基于顶电极层为整个结构的电阻转变特性提供储氧层，通过界面处的氧化还原反应获得一种性能稳定且可高速擦/写的电阻式存储器用多层结构，有利于RRAM存储器件高速性能的实现。