专利详情

专利名称	一种双向磁场增强装置
申请号	CN201120446602.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN202323013U	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司	发明（设计）人	张振厚;赵崇凌;李士军;张健;张冬;洪克超;徐宝利;钟福强;陆涛;许新;王刚;刘兴;郭玉飞;王学敏;李松
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I
专利有效期	一种双向磁场增强装置至一种双向磁场增强装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及提高PECVD设备的磁场，具体地说是一种可以提高原料利用率和提高膜层沉积速度，进而提高产能的双向磁场增强装置，包括真空室及石英管，其中石英管安装在真空室内，在石英管的周围分别设置有第一磁钢、第二磁钢、第三磁钢及第四磁钢；所述第一磁钢与第三磁钢相对设置、相互平行，分别位于石英管的上方和下方；第二磁钢与第四磁钢相对设置、相互平行，分别位于石英管的左侧和右侧；所述第二磁钢、第三磁钢及第四磁钢的极性相同，第一磁钢与第二磁钢、第三磁钢及第四磁钢的极性相反。本实用新型在石英管四周设置了四个磁钢，两两相对，提高了原料利用率和膜层沉积速度，进而提高了设备产能。