专利详情

专利名称	一种绝缘体上硅器件及其制备方法
申请号	CN200910305117.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101621064	公开（授权）日	2010.01.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	毕津顺;海潮和;韩郑生;罗家俊
主分类号	H01L27/12(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I
专利有效期	一种绝缘体上硅器件及其制备方法至一种绝缘体上硅器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种绝缘体上硅器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。所述绝缘体上硅器件为采用p型绝缘体上硅晶圆制备的绝缘体上硅器件，包括p型底部硅衬底、埋氧层以及形成于顶层硅膜内的N型场效应晶体管和P型场效应晶体管，所述N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于体区中，均包括漏极、源极、栅极和体引出部分；所述包含N型场效应晶体管的体区和包含P型场效应晶体管体区之间是电学隔离的。本发明的绝缘体上硅器件可以有效地抑制浮体效应，源漏对称，无额外寄生电容，在保持SOI电路优势的同时，可以最大程度地与主流体硅工艺和设计兼容。