专利详情

专利名称	采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法
申请号	CN200810116044.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101621027	公开（授权）日	2010.01.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王显泰;金智
主分类号	H01L21/82(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/82(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I
专利有效期	采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法至采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用局部二次掺杂工艺调整变容二极管特性的方法，该方法包括：选择HBT材料的B-C结制作变容二极管，利用HBT中基极层材料的高掺杂特征，使接触金属不经过高温金属化工艺或者快速金属化工艺可形成欧姆接触；采用耐高温和多次加厚的掩膜层来保护无需二次掺杂的区域，利用离子注入设备对变容二极管材料区域进行掺杂元素二次掺杂，调整变容二极管材料区域掺杂组分至适于制作变容二极管的超突变结状态，同时使无需二次掺杂的区域不受该二次掺杂的影响。本发明对需优化性能的二极管器件材料区域进行二次掺杂，同时保护电路其他区域的特性，使在同一片半导体材料可以在满足其他器件需求的同时，可以制作高质量的变容二极管。