专利详情

专利名称	一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法
申请号	CN200810116043.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN101621009	公开（授权）日	2010.01.06
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	宋文斌;毕津顺;韩郑生
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I
专利有效期	一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法至一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明公开了一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法，包括：选用P<100>SOI外延片，并对该SOI外延片进行第一次Trench腐蚀；进行第二次Trench腐蚀形成源引出端和体引出端的隔离，在沟槽下方与BOX 层之间留出空间，为侧向体接触保留体引出通道；全部剥离SiN，生长SiO₂ 掩蔽膜，刻蚀该SiO₂掩蔽膜，形成两个局部埋氧层的注入窗口；进行局部埋氧层注入，形成源漏下方局部埋氧层；光刻形成有源区，两次调栅注入后通过牺牲氧化控制硅膜厚度，生长栅氧，淀积多晶硅，光刻多晶硅栅， LDD注入，侧墙隔离，源漏端注入形成漏端和源端，体引出端注入，源漏金属硅化物，淀积PMD和平坦化；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成压焊点层，合金，并进行背面处理。