专利详情

专利名称	一种碳纳米管束垂直互连的制作方法
申请号	CN201210038865.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102569181A	公开（授权）日	2012.07.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	曹立强;戴风伟;周静;刘丰满;潘茂云
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I
专利有效期	一种碳纳米管束垂直互连的制作方法至一种碳纳米管束垂直互连的制作方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长，从而实现TSV孔的填充。同时通过致密化操作使碳纳米管与碳纳米管之间的气体被赶出，从而提高碳纳米管束密度，然后制作成金属包覆碳纳米管束的互连结构，用此结构做为互连材料可以有效地提高其互连可靠性和性能。此方法的优势在于不但与TSV工艺相兼容，工艺成熟易于实现，而且互连可靠性和性能得到很大的提高。